相关证件：
会员类型：
会员年限：3年
朱茵 
电话：02161984103
手机：15618117781
孙生
电话：02161984103
手机：17621076788
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
技术: Si
风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancemen
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
系列: Mdmesh M5
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 330 mg
询价