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magnetoreactance element 磁阻元件
发布时间: 2023/9/21 16:31:28 | 58 次阅读
传感器zhuan家网词条 | 第658期
2023年9月21日 星期四
传感词条,每日播报
magnetoreactance element
磁阻元件
由于磁场的作用使半导体电阻增大的现象称为磁阻效应。当磁阻的方向与外电场垂直时,称为横向磁阻。
对于矩形样品,载流子在垂直于电场的磁场作用下,受到偏转力,使它产生横向运动,如同在原来的电流上加上一个横向电流。这个电流立即引起横向电场。如果横向电场的作用刚好抵消磁场的偏转作用,则小于此速度的电子将沿横向电场方向偏转。这种偏转将使沿电场方向的电流密度减小,也就是磁场的存在增大了电阻,这称为物理磁阻。
对于大面积接触的薄片样品,同样施加磁场时,由于横向磁场在终端短路的样品中建立不起横向电场,而电流矢量旋转并建立横向电流分量。由于电流路径增加而引起电阻的增大,系由特定样品的几何边界条件决定的,故称为几何磁阻。
对于任意样品,其磁阻应为物理磁阻与几何磁阻之和。在特定情况下可忽略其中的一种。这样,磁阻迁移率与霍尔迁移率之间可建立一定的关系。
横向弱场磁阻主要给出迁移率平方的度量,低温下迁移率显著增大,磁阻效应也增大。77K下横向弱场磁阻的测量,已成为确定具有单一能级的P型硅样品杂质浓度的有效方法,并可了解载流子有效质量的各向异性。